Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate
- Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate
- lauko tranzistorius su izoliuota užtūra
statusas T sritis radioelektronika
atitikmenys: angl. insulated-gate FET; insulated-gate field-effect transistor
vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m; Isolierschicht-Feldeffekttransistor, m
rus. полевой транзистор с изолированным затвором, m
pranc. transistor à effet de champ à grille isolée, m
Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“.
Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas.
2000.
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Isolierschicht-Feldeffekttransistor — Beispiel eines IGFET, hier n Kanal MOSFET Isolierschicht Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (englisch insulated gate field effect transistor, IGFET) ist die Bezeichnung für eine Gruppe von … Deutsch Wikipedia
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insulated-gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate FET; insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m; Isolierschicht Feldeffekttransistor, m rus … Radioelektronikos terminų žodynas
complementary insulated-gate field-effect transistor — jungtinis lauko tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary insulated gate field effect transistor vok. komplementärer Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, m rus. комплементарный… … Radioelektronikos terminų žodynas
